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  • 描述: TRANSISTOR SOT-89;BCE NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:350mV; Current Ic Continuous a Max:1A; Gain Bandwidth ft Typ:210MHz; Hfe Min:120; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power Bipolar

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